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IRL640 数据手册
| 型号系列: | IRL640 系列 |
| 分类: | MOS管 |
| 描述: | 功率MOSFET Power MOSFET |
| 文档: | IRL640A 数据手册 (10 页) |
IRL640 MOS管 数据手册
IRL640 数据手册 MOS管
9 页
VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
9 页
VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
9 页
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
9 页
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRL640PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 200 V, 180 mohm, 5 V, 2 V
8 页
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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