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IRLB3813 数据手册

型号系列:IRLB3813 系列
分类:MOS管
描述:INFINEON  IRLB3813PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 V
文档:IRLB3813PBF 数据手册 (12 )

IRLB3813 MOS管 数据手册

#1
IRLB3813PBF
4.6
Infineon(英飞凌)
#2
IRLB3813PBF
1.4
International Rectifier(国际整流器)

IRLB3813PBF - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
230 W
针脚数
3 Position
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IRLB3813PBF - Infineon(英飞凌) 概述

N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET 晶体管,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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