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IRLML6302 数据手册

型号系列:IRLML6302 系列
分类:MOS管
描述:IRLML6302 P沟道MOS场效应管 -780mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1CKU 超低导通电阻 低栅极电荷
文档:IRLML6302TRPBF 数据手册 (11 页)

IRLML6302 MOS管 数据手册

#1
IRLML6302TRPBF
4.9
Infineon（英飞凌）
#2
IRLML6302TR
0.5
Infineon（英飞凌）
#3
IRLML6302TRPBF
3.9
International Rectifier（国际整流器）
#4
IRLML6302PBF
1.6
Infineon（英飞凌）

IRLML6302 数据手册 MOS管

数据手册
9 页
International Rectifier（国际整流器）
IRLML6302 P沟道MOS场效应管 -780mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1CKU 超低导通电阻 低栅极电荷
数据手册
9 页
International Rectifier（国际整流器）
数据手册
9 页
International Rectifier（国际整流器）
数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
International Rectifier（国际整流器）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
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IRLML6302 - International Rectifier（国际整流器） 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23
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IRLML6302 - International Rectifier（国际整流器） 概述

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -780mA/-0.78A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.60Ω @-600mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.70V 耗散功率PdPower Dissipation| 540mW/0.54W Description & Applications| Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount lAvailable in Tape & Reel Low Gate Charge 描述与应用| 超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 在磁带和卷轴lAvailable 低栅极电荷
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