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IRLZ34 数据手册

型号系列:IRLZ34 系列
分类:MOS管
文档:IRLZ34NSTRLPBF 数据手册 (11 )

IRLZ34 MOS管 数据手册

#1
IRLZ34NSTRLPBF
3.0
Infineon(英飞凌)
#2
IRLZ34NSPBF
1.8
Infineon(英飞凌)
#3
IRLZ34NSPBF
1.5
International Rectifier(国际整流器)
#4
IRLZ34NSTRLPBF
1.2
International Rectifier(国际整流器)

IRLZ34 数据手册 MOS管

11
International Rectifier(国际整流器)
11
International Rectifier(国际整流器)
11
Philips(飞利浦)
11
Infineon(英飞凌)
11
NXP(恩智浦)
N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor
11
Infineon(英飞凌)
11
Vishay Siliconix
11
Infineon(英飞凌)
10
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 V
10
Vishay Siliconix
9
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLZ34NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 30A TO-220AB 新
9
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
9
Vishay Siliconix
9
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLZ34PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 50 mohm, 5 V, 2 V
9
Vishay Semiconductor(威世)
8
International Rectifier(国际整流器)

IRLZ34 - Vishay Siliconix 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
88W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
1600pF @25V(Vds)
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