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MJD112 数据手册

型号系列:MJD112 系列
描述:互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
文档:MJD112G 数据手册 (11 页)

MJD112 数据手册

#1
MJD112G
2.1
ON Semiconductor（安森美）
#2
MJD112RLG
1.8
ON Semiconductor（安森美）
#3
MJD112-1G
1.6
ON Semiconductor（安森美）
#4
MJD112T4
1.0
ON Semiconductor（安森美）

MJD112 数据手册

数据手册
11 页
ST Microelectronics（意法半导体）
互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
数据手册
11 页
ON Semiconductor（安森美）
数据手册
10 页
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  MJD112T4G.  达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK
数据手册
10 页
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  MJD112T4  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE
数据手册
10 页
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册
10 页
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据手册
10 页
ON Semiconductor（安森美）
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
数据手册
10 页
ON Semiconductor（安森美）
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
数据手册
10 页
ON Semiconductor（安森美）
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
数据手册
10 页
Motorola（摩托罗拉）
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MJD112 - ST Microelectronics（意法半导体） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252
最小电流放大倍数
200
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