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MJD117 数据手册

型号系列:MJD117 系列
描述:达林顿管 MJD117 TO-252-2L(4R)
文档:MJD117G 数据手册 (18 )

MJD117 数据手册

#1
MJD117G
3.4
ON Semiconductor(安森美)
#2
MJD117T4
1.5
ON Semiconductor(安森美)
#3
MJD117T4G
4.5
ON Semiconductor(安森美)
#4
MJD117T4
3.2
ST Microelectronics(意法半导体)

MJD117 数据手册

11
ON Semiconductor(安森美)
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
11
ON Semiconductor(安森美)
10
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD117TF  双极性晶体管, PNP, -100V
10
ON Semiconductor(安森美)
MJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3
10
CJ(长电科技)
达林顿管 MJD117 TO-252-2L(4R)
10
ON Semiconductor(安森美)
MJD117TF 编带
10
ON Semiconductor(安森美)
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
10
ST Microelectronics(意法半导体)
互补功率达林顿晶体管 Complementary power Darlington transistors

MJD117 - CJ(长电科技) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-252-2
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
2000mA
最小电流放大倍数
1000
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