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MMBD7000 数据手册

型号系列:MMBD7000 系列
分类:二极管阵列
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBD7000  二极管 小信号, 双系列, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 2 A
文档:MMBD7000 数据手册 (21 )

MMBD7000 二极管阵列 数据手册

#1
MMBD7000
3.0
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
MMBD7000
3.0
ON Semiconductor(安森美)
#3
MMBD7000LT1G
6.5
ON Semiconductor(安森美)
#4
MMBD7000LT1HTSA1
1.4
Infineon(英飞凌)

MMBD7000 数据手册 二极管阵列

7
Infineon(英飞凌)
7
Diodes(美台)
双小信号开关二极管 DUAL SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE
6
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBD7000LT3G  开关二极管, 2串联, 0.2A SOT-23
6
ON Semiconductor(安森美)
双开关二极管 Dual Switching Diode
6
ON Semiconductor(安森美)
双开关二极管 Dual Switching Diode
6
Taitron
6
Infineon(英飞凌)
硅开关二极管阵列用于高速开关应用,根据AEC Q101标准 Silicon Switching Diode Array For high-speed switching applications Qualified according AEC Q101
5
Diodes(美台)
DIODES INC.  MMBD7000-7-F  二极管 小信号, 排列, 双系列, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
5
Diodes(美台)
5
Multicomp
MULTICOMP  MMBD7000-7-F  二极管, 超快恢复型, 200mA, 100V, SOT-23-3
4
Diodes(美台)
MMBD7000HS-7-F 二极管, 切换 300mA 100V 4ns 硅结型, 3针 SOT-23封装
4
CJ(长电科技)
MMBD7000 编带
4
Micro Commercial Components(美微科)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  MMBD7000-TP  开关二极管, 100V, SOT-23
4
Diodes(美台)
集成电路
4
VISHAY(威世)
小信号开关二极管,Vishay Semiconductor### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
4
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

MMBD7000 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
200 mA
电容
1.5 pF
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MMBD7000 - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

反向电压VrReverse Voltage| 70V \---|--- 平均整流电流IoAverage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.25V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4.0ns 最大耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| FeAtures • High ConductAnce UltrA FAst Diode • Discrete POWER & SignAl Technologies 描述与应用| 特点 •高电导率的超快速二极管 •分立功率与信号技术
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