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MMBD7000LT1 数据手册

型号系列:MMBD7000LT1 系列
分类:二极管阵列
描述:双开关二极管 Dual Switching Diode
文档:MMBD7000LT1G 数据手册 (14 页)

MMBD7000LT1 二极管阵列 数据手册

#1
MMBD7000LT1G
6.5
ON Semiconductor（安森美）
#2
MMBD7000LT1HTSA1
1.4
Infineon（英飞凌）
#3
MMBD7000LT1
0.5
Infineon（英飞凌）
#4
MMBD 7000 LT1
0.4
Infineon（英飞凌）

MMBD7000LT1 数据手册 二极管阵列

数据手册
6 页
ON Semiconductor（安森美）
双开关二极管 Dual Switching Diode
数据手册
6 页
Leshan Radio（乐山无线电）
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MMBD7000LT1 - ON Semiconductor（安森美） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
200 mA
电容
1.50 pF
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MMBD7000LT1 - ON Semiconductor（安森美） 概述

●反向电压VrReverse Voltage| 100V
●\---|---
●平均整流电流IoAverage Rectified Current| 200mA/0.2A
●最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.1V
●反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4.0ns
●最大耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W
●Description & Applications| FeAtures • DuAl Switching Diode
●描述与应用| 特点 •双开关二极管
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