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MMBF170 数据手册

型号系列:MMBF170 系列
分类:MOS管
描述:ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
文档:MMBF170LT3 数据手册 (26 页)

MMBF170 MOS管 数据手册

#1
MMBF170LT3
0.5
ON Semiconductor（安森美）
#2
MMBF170LT1
1.2
ON Semiconductor（安森美）
#3
MMBF170
2.8
Fairchild（飞兆/仙童）
#4
MMBF170
3.0
ON Semiconductor（安森美）

MMBF170 数据手册 MOS管

数据手册
14 页
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
数据手册
14 页
Diodes（美台）
MMBF170-7-F 编带
数据手册
6 页
Diodes（美台）
数据手册
6 页
ON Semiconductor（安森美）
0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET
数据手册
6 页
Diodes（美台）
数据手册
5 页
Diodes（美台）
功率MOSFET500毫安，60 VN沟道SOT-23高密度电池设计的低RDS（ON）电压控制小信号开关坚固，可靠。高饱和电流能力
数据手册
5 页
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
数据手册
4 页
Motorola（摩托罗拉）
更多 MMBF170 数据手册 >

MMBF170 - ON Semiconductor（安森美） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
5 Ω
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MMBF170 - ON Semiconductor（安森美） 概述

●增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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