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MMBT2222ALT1 数据手册

型号系列:MMBT2222ALT1 系列
分类:双极性晶体管
描述:通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
文档:MMBT2222ALT1G 数据手册 (14 页)

MMBT2222ALT1 双极性晶体管 数据手册

#1
MMBT2222ALT1G
9.1
ON Semiconductor（安森美）
#2
MMBT2222ALT1HTSA1
2.2
Infineon（英飞凌）
#3
MMBT2222ALT1
2.0
ON Semiconductor（安森美）
#4
MMBT2222ALT1
0.7
Infineon（英飞凌）

MMBT2222ALT1 数据手册 双极性晶体管

数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
数据手册
9 页
Motorola（摩托罗拉）
数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
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MMBT2222ALT1 - ON Semiconductor（安森美） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
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MMBT2222ALT1 - ON Semiconductor（安森美） 概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 75V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250Mh~300Mhz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~300
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 0.3V~1V
●耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W
●Description & Applications| Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish
●描述与应用| 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成
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