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MMBT2907ALT1 数据手册

型号系列:MMBT2907ALT1 系列
分类:双极性晶体管
描述:通用晶体管 General Purpose Transistors
文档:MMBT2907ALT1G 数据手册 (14 )

MMBT2907ALT1 双极性晶体管 数据手册

#1
MMBT2907ALT1G
7.9
ON Semiconductor(安森美)
#2
MMBT2907ALT1HTSA1
2.6
Infineon(英飞凌)
#3
MMBT2907ALT1
0.8
Infineon(英飞凌)
#4
MMBT2907ALT1
1.8
ON Semiconductor(安森美)

MMBT2907ALT1 数据手册 双极性晶体管

9
Infineon(英飞凌)
9
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A

MMBT2907ALT1 - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
200 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-600 mA
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MMBT2907ALT1 - ON Semiconductor(安森美) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor General Purpose Transisters Features • Pb−Free Packages 描述与应用| PNP外延平面晶体管 通用Transisters 特点 •无铅封装
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