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MMBT3906 数据手册

型号系列:MMBT3906 系列
分类:双极性晶体管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT3906  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 300 hFE
文档:MMBT3906 数据手册 (21 )

MMBT3906 双极性晶体管 数据手册

#1
MMBT3906
4.9
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
MMBT3906
3.2
ON Semiconductor(安森美)
#3
MMBT3906LT1G
7.3
ON Semiconductor(安森美)
#4
MMBT3906WT1G
4.5
ON Semiconductor(安森美)

MMBT3906 数据手册 双极性晶体管

14
NXP(恩智浦)
MMBT3906 PNP三极管 -40V -100mA/-0.1A 250MHz 100~300 -200mV/-0.2V SOT-23/SC-59 marking/标记 7B 开关
14
Motorola(摩托罗拉)
小信号三极管MMBT3906
14
Diodes(美台)
小信号晶体管( PNP ) SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
13
Micro Commercial Components(美微科)
MMBT3906-TP 编带
13
Diotec Semiconductor
13
ST Microelectronics(意法半导体)
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
13
NTE Electronics
13
Taitron
13
UTC(友顺)
低集电极电流
13
Rectron Semiconductor
13
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管开关 PNP Silicon Switching Transistor
13
LiteOn(光宝)
8
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906TT1G  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 30 hFE
8
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
7
Diodes(美台)
三极管
4
CJ(长电科技)
PNP,Vceo=-40V,Ic=-0.2A,hfe=100~300,丝印2A

MMBT3906 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
250 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-40.0 V
额定电流
-200 mA
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MMBT3906 - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA. 描述与应用| PNP外延平面晶体管 PNP通用放大器 这个装置是专为通用放大器和开关应用在集电极电流为10μA至100 mA的。
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