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MMBT5401 数据手册

型号系列:MMBT5401 系列
分类:双极性晶体管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5401.  单晶体管 双极, PNP, 150 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 240 hFE
文档:MMBT5401 数据手册 (21 )

MMBT5401 双极性晶体管 数据手册

#1
MMBT5401
3.1
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
MMBT5401_D87Z
0.6
Fairchild(飞兆/仙童)
#3
MMBT5401_D87Z
0.3
ON Semiconductor(安森美)
#4
MMBT5401LT1G
7.7
ON Semiconductor(安森美)

MMBT5401 数据手册 双极性晶体管

14
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE 新
14
ON Semiconductor(安森美)
高压晶体管 High Voltage Transistor
9
ON Semiconductor(安森美)
MMBT5401系列 150 V CE击穿 0.6 A PNP 通用 放大器 - SOT-23
9
Diodes(美台)
DIODES INC.  MMBT5401  单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 300 mW, -600 mA, 60 hFE
9
LiteOn(光宝)
8
Diodes(美台)
MMBT5401-7-F 编带
7
Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
7
Diotec Semiconductor
7
Panjit(强茂)
MMBT5401_R1 编带
7
Comchip Technology(上华科技)
7
Leshan Radio(乐山无线电)
MMBT5401 PNP三极管 -160V -500mA/-0.5A 100~300MHz 60~240 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2L 通用放大器
7
Diodes(美台)
7
UTC(友顺)
高压开关 晶体管
6
ON Semiconductor(安森美)
高压晶体管( PNP硅) High Voltage Transistor(PNP Silicon)
5
Micro Commercial Components(美微科)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  MMBT5401-TP  双极性晶体管, PNP, 150VDC, SOT-23
4
Diodes Zetex(捷特科)
PNP 晶体管,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc

MMBT5401 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-150 V
额定电流
-600 mA
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MMBT5401 - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −150V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100~300MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP General Purpose Amplifier • This device is designed as a general purpose amplifier and switch for applications requiring high voltage. 描述与应用| PNP通用放大器 这个装置是专为需要高电压的应用作为一种通用放大器和开关而设计。
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