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MMBT5551 数据手册

型号系列:MMBT5551 系列
分类:双极性晶体管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5551  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
文档:MMBT5551 数据手册 (21 )

MMBT5551 双极性晶体管 数据手册

#1
MMBT5551
3.3
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
MMBT5551
3.2
ON Semiconductor(安森美)
#3
MMBT5551LT1G
6.1
ON Semiconductor(安森美)
#4
MMBT5551-7-F
3.2
Diodes(美台)

MMBT5551 数据手册 双极性晶体管

10
Diodes(美台)
10
LiteOn(光宝)
9
Diotec Semiconductor
9
NTE Electronics
9
Micro Commercial Components(美微科)
7
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
7
ON Semiconductor(安森美)
6
ON Semiconductor(安森美)
NPN高压晶体管 NPN High Voltage Transistor
6
ON Semiconductor(安森美)
高压晶体管( NPN硅) High Voltage Transistors(NPN Silicon)
6
Motorola(摩托罗拉)
4
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
2
Micro Commercial Components(美微科)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  MMBT5551-TP  双极性晶体管, NPN, 160VDC, SOT-23

MMBT5551 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
160 V
额定电流
600 mA
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MMBT5551 - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 160V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100Mhz~300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 30~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV~250mV 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| • This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers. • Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base) • Suffix “-Y” means hFE 180~240 in 2N5551 (Test condition : IC = 10mA, VCE = 5.0V) 描述与应用| 这个装置是专为通用高电压放大器和气体放电显示驱动程序。 •后缀“-C”指中心集电极2N5551(1集电极发射23。基地) •后缀“-Y”表示HFE180〜2402N5551(测试条件:IC=10mA时,VCE= 5.0V)
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