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MMBTA06LT1 数据手册

型号系列:MMBTA06LT1 系列
分类:双极性晶体管
描述:驱动晶体管( NPN硅) Driver Transistors(NPN Silicon)
文档:MMBTA06LT1G 数据手册 (14 )

MMBTA06LT1 双极性晶体管 数据手册

#1
MMBTA06LT1G
7.8
ON Semiconductor(安森美)
#2
MMBTA06LT1HTSA1
2.3
Infineon(英飞凌)
#3
MMBTA06LT1
1.6
ON Semiconductor(安森美)
#4
MMBTA06LT1
0.6
Infineon(英飞凌)

MMBTA06LT1 数据手册 双极性晶体管

8
Infineon(英飞凌)
7
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A

MMBTA06LT1 - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23-3
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MMBTA06LT1 - ON Semiconductor(安森美) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Driver Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 描述与应用| 驱动晶体管 我们声明,对产品材料 符合RoHS要求。
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