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MMBTA13 数据手册

型号系列:MMBTA13 系列
分类:双极性晶体管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA13  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE
文档:MMBTA13 数据手册 (21 页)

MMBTA13 双极性晶体管 数据手册

#1
MMBTA13
2.9
Fairchild（飞兆/仙童）
#2
MMBTA13
1.8
ON Semiconductor（安森美）
#3
MMBTA13_D87Z
0.3
Fairchild（飞兆/仙童）
#4
MMBTA13LT1G
3.6
ON Semiconductor（安森美）

MMBTA13 数据手册 双极性晶体管

数据手册
8 页
ON Semiconductor（安森美）
达林顿放大器晶体管（ NPN硅） Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)
数据手册
6 页
ON Semiconductor（安森美）
NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册
6 页
Motorola（摩托罗拉）
数据手册
5 页
Diodes（美台）
达林顿晶体管 30V 300mW
数据手册
5 页
Micro Commercial Components（美微科）
达林顿晶体管 300mA 30V
数据手册
5 页
Micro Commercial Components（美微科）
数据手册
4 页
Infineon（英飞凌）
NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistors
数据手册
4 页
Diodes（美台）
达林顿晶体管 30V 300mW
数据手册
3 页
Diodes（美台）
数据手册
2 页
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
MMBTA13 NPN 500mA/0.5A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记A1X 开关 功率放大
数据手册
2 页
UTC（友顺）
NPN外延硅晶体管
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MMBTA13 - Fairchild（飞兆/仙童） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
125 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.20 A
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MMBTA13 - Fairchild（飞兆/仙童） 概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| 30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 10000 @ 5V,0.1A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. 描述与应用| •为需要集电流增益可达到1A而设计
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