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MMBTH10 数据手册

型号系列:MMBTH10 系列
分类:双极性晶体管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTH10  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFE
文档:MMBTH10 数据手册 (21 )

MMBTH10 双极性晶体管 数据手册

#1
MMBTH10
1.7
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
MMBTH10
1.5
ON Semiconductor(安森美)
#3
MMBTH10RG
1.1
Fairchild(飞兆/仙童)
#4
MMBTH10RG
0.8
ON Semiconductor(安森美)

MMBTH10 数据手册 双极性晶体管

16
Micro Commercial Components(美微科)
14
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBTH10LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE
14
ON Semiconductor(安森美)
NPN 25 V 225 mW 表面贴装 硅 晶体管 - SOT-23
8
ON Semiconductor(安森美)
VHF / UHF晶体管( NPN硅) VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)
8
ON Semiconductor(安森美)
甚高频/超高频晶体管 VHF/UHF Transistor
6
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
5
Diodes(美台)
5
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
4
Diodes(美台)
NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管VHF/ UHF放大器应用设计和高输出的高频振荡器高电流增益带宽积非常适于混频器和射频放大器应用集电极电流范围100 - 30毫安
2
Micro Commercial Components(美微科)

MMBTH10 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
650 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
50.0 mA
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MMBTH10 - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 650Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 µA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42. 描述与应用| NPN RF晶体管 这个装置是专为使用低噪音UHF/ VHF放大器, 与集电极电流在100μA到20 mA范围内共同 发射器或共同经营的基本模式,并在低频 漂移,高输出UHF振荡器
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