MTD2955 数据手册

型号系列:	MTD2955 系列
分类:	MOS管
描述:	功率MOSFET的12A ， 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK
文档:	MTD2955VT4 数据手册 (9 页)

MTD2955 MOS管数据手册

MTD2955VT4

数据手册 (9 页)

1.5

ON Semiconductor（安森美）

MTD2955V

数据手册 (9 页)

0.3

ON Semiconductor（安森美）

MTD2955VT4 - ON Semiconductor（安森美）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-12.0 A

封装

TO-252-3

MTD2955VT4 - ON Semiconductor（安森美）概述

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -12A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.185Ω @6A,10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 2.0-4.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.1W Description & Applications| Features • Avalanche Energy Specified • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| •雪崩能量 •IDSS和VDS（上）指定高温 •无铅包可用

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