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PMBS3906 数据手册

型号系列:PMBS3906 系列
描述:PMBS3906
文档:PMBS3906,215 数据手册 (8 )

PMBS3906 数据手册

#1
PMBS3906,215
2.3
Nexperia(安世)
#2
PMBS3906
2.1
NXP(恩智浦)
#3
PMBS3906,215
2.0
NXP(恩智浦)
#4
PMBS3906,235
0.7
Nexperia(安世)

PMBS3906 数据手册

7
NXP(恩智浦)

PMBS3906 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-236
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.1A
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PMBS3906 - NXP(恩智浦) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP general purpose transistor FEATURES • Low current • Low voltage • NPN complement: PMBS3904 APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g.telephony and professional communication equipment. 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流 •低电压 •NPN补充:PMBS3904 应用 •通用开关和放大,的egtelephony和专业的通信设备。
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