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PMBT3906 数据手册

型号系列:PMBT3906 系列
分类:双极性晶体管
描述:PMBT3906
文档:PMBT3906MB 数据手册 (13 )

PMBT3906 双极性晶体管 数据手册

#1
PMBT3906MB
1.0
NXP(恩智浦)
#2
PMBT3906MB,315
0.9
Nexperia(安世)
#3
PMBT3906MB,315
0.5
NXP(恩智浦)
#4
PMBT3906,215
3.7
Nexperia(安世)

PMBT3906 数据手册 双极性晶体管

12
NXP(恩智浦)
NXP  PMBT3906,215  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 250 mW, -200 mA, 100 hFE
12
Nexperia(安世)
12
NXP(恩智浦)
PMBT3906
12
NXP(恩智浦)
12
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUALTRANS SW TAPE-7
12
NXP(恩智浦)
12
NXP(恩智浦)
12
NXP(恩智浦)
PMBT3906M,315
12
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管
12
NXP(恩智浦)
12
NXP(恩智浦)
40 V , 200毫安PNP / PNP通用双晶体管 40 V, 200 mA PNP/PNP general-purpose double transistor
11
Nexperia(安世)
双极晶体管阵列, 双PNP, -40 V, 240 mW, -200 mA, 100 hFE, SOT-666
11
NXP(恩智浦)
NXP  PMBT3906VS  单晶体管 双极, 双PNP, -40 V, 250 MHz, 240 mW, -200 mA, 100 hFE
11
NXP(恩智浦)
NXP  PMBT3906M  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 260 mW, -200 mA, 100 hFE

PMBT3906 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-236
极性
PNP
功耗
250 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
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PMBT3906 - NXP(恩智浦) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −200mV/-0.2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP switching transistor FEATURES • Low current • Low voltage APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PMBT3904. 描述与应用| PNP开关晶体管 特点 •低电流 •低电压 应用 •专业的电话和通信设备。 说明 PNP开关晶体管在SOT23塑料包装。 NPN补充:PMBT3904。
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