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PUMD12 数据手册

型号系列:PUMD12 系列
分类:双极性晶体管
描述:NXP  PUMD12  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363
文档:PUMD12,115 数据手册 (20 )

PUMD12 双极性晶体管 数据手册

#1
PUMD12,115
2.0
Nexperia(安世)
#2
PUMD12,135
0.8
Nexperia(安世)
#3
PUMD12
1.1
NXP(恩智浦)
#4
PUMD12,115
1.0
NXP(恩智浦)

PUMD12 数据手册 双极性晶体管

16
NXP(恩智浦)

PUMD12 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363
针脚数
6 Position
极性
NPN, PNP
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PUMD12 - NXP(恩智浦) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 80 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features • NPN/PNP resistor-equipped transistors; • Built-in bias resistors • Reduces component count • Reduces pick and place costs • Simplifies circuit design APPLICATIONS • Low current peripheral drivers • Replacement of general purpose transistors in digital applications • Control of IC inputs 描述与应用| 特点 •NPN/ PNP电阻配备晶体管; •内置偏置电阻 •减少了元件数量 •减少取放成本 •简化电路设计 应用 •低电流外设驱动程序 •通用晶体管数字应用的更换 •控制IC投入
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