Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > PUMH11 数据手册
图片仅供参考

PUMH11 数据手册

型号系列:PUMH11 系列
分类:双极性晶体管
描述:NXP  PUMH11  双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363
文档:PUMH1,115 数据手册 (16 )

PUMH11 双极性晶体管 数据手册

#1
PUMH1,115
1.8
Nexperia(安世)
#2
PUMH11,115
2.4
Nexperia(安世)
#3
PUMH11,115
2.0
NXP(恩智浦)
#4
PUMH1,115
1.6
NXP(恩智浦)

PUMH11 数据手册 双极性晶体管

15
NXP(恩智浦)
NXP  PUMH11  双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363
15
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 预偏置 NPN/NPN resistor equipped transistors
15
Nexperia(安世)
双电阻器双数字晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
14
NXP(恩智浦)

PUMH11 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363
针脚数
6 Position
极性
NPN
查看更多

PUMH11 - NXP(恩智浦) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 30 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features • NPN resistor-equipped transistors; • Transistors with different polarity and built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 kΩ each) • No mutual interference between the transistors • Simplification of circuit design • Reduces number of components and board space APPLICATIONS • Especially suitable for space reduction in interface and driver circuits • Inverter circuit configurations without use of external resistors. 描述与应用| 特点 •NPN电阻配备晶体管; •晶体管不同极性和内置的偏置电阻R1和R2(典型值10KΩ/Ohm的) •晶体管之间没有相互干扰 •简化电路设计 •减少元件数量和电路板空间 应用 •特别适用于空间减少接口和驱动电路 •逆变器电路配置,而无需使用外部电阻器
查看更多
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件