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PZT3904 数据手册

型号系列:PZT3904 系列
分类:双极性晶体管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PZT3904..  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 1 W, 200 mA, 300 hFE
文档:PZT3904T1G 数据手册 (36 )

PZT3904 双极性晶体管 数据手册

#1
PZT3904T1G
4.7
ON Semiconductor(安森美)
#2
PZT3904
3.4
Fairchild(飞兆/仙童)
#3
PZT3904
2.8
ON Semiconductor(安森美)
#4
PZT3904T1
1.3
ON Semiconductor(安森美)

PZT3904 数据手册 双极性晶体管

13
Infineon(英飞凌)
硅NPN开关晶体管 NPN Silicon Switching Transistor
13
NXP(恩智浦)
PZT3904 NPN三极管 60V 200mA/0.2A 300MHz 300 200mV/0.2V SOT-223/SC-73 marking/标记 3904 开关晶体管
13
ST Microelectronics(意法半导体)
小信号NPN晶体管 SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
8
NXP(恩智浦)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7

PZT3904 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
200 mA
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PZT3904 - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 200mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 300MHz Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 100~300 Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 300mV Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 1000mW Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Features • NPN General Purpose Amplifier • This device is designed as a general purpose amplifier and switch. • The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 特点 •NPN通用放大器 •该设备是专为通用放大器和开关。 •有用的动态范围扩展到100毫安作为开关至100 MHz作为一个放大器 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| Description & Applications| 描述与应用|
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