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RK7002 数据手册

型号系列:RK7002 系列
分类:晶体管
描述:RK7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKM 低的RDS/栅极电荷
文档:RK7002BMT116 数据手册 (14 页)

RK7002 晶体管 数据手册

#1
RK7002BMT116
4.3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
#2
RK7002BMHZGT116
1.7
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
#3
RK7002BT116
2.2
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
#4
RK7002B
0.2
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RK7002 数据手册 晶体管

数据手册
5 页
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
场效应管(MOSFET) RK7002AT116 SOT-23-3
数据手册
5 页
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RK7002A N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKS 快速开关/低RDS
数据手册
4 页
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM  RK7002T116  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V
数据手册
4 页
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RK7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKM 低的RDS/栅极电荷
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RK7002 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体） 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.115A
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RK7002 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体） 概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 115mA/0.115A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 7.5Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Interface and switching (60V, 115mA) Silicon N-channel MOSFET Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA (safe operating area). Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel. 描述与应用| 接口和开关（60V，115毫安） 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用
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