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S29GL512 数据手册

型号系列:S29GL512 系列
分类:Flash芯片
描述:GL-S 系列 512 Mb (32 M x 16) 3.6 V 100 ns 非易失性 存储器 - TSOP-56
文档:S29GL512S10TFI010 数据手册 (108 )

S29GL512 Flash芯片 数据手册

#1
S29GL512S10TFI010
3.6
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
#2
S29GL512S10TFI010
2.6
Spansion(飞索半导体)
#3
S29GL512S10TFI020
2.2
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
#4
S29GL512S11DHIV10
2.0
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)

S29GL512 数据手册 Flash芯片

108
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
芯片, 闪存, 或非, 512MB, TSOP-56
108
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
108
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512S11TFI020  闪存, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
108
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, BGA, 64 引脚
108
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-P 系列 512 Mb (32M x 16) 3.6 V 表面贴装 MirrorBit® 闪存 系列 - TSOP-56
107
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
107
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
NOR闪存 512Mb 3V 110ns Parallel NOR闪存
107
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S29GL512P 系列 512 Mb (32M x 16) 3 V 100 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-64
106
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P11TFI020.  闪存, 512 Mbit, TSOP, 56 引脚
106
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P11FFI010  闪存, 或非, 512 Mbit, 64M x 8位 / 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
106
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512S10TFI020  闪存, 或非, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
84
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor (Spansion)### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
84
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P10TFIR10  芯片, 闪存, 512MB, 100NS, 56-TSOP
82
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P11TFI010..  闪存芯片, NOR, 512Kb
82
Spansion(飞索半导体)
NOR闪存 512M 3.0V 100ns Parallel NOR闪存
82
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P10TFIR20  芯片, 闪存存储器, 512MB, 100NS, 56-TSOP

S29GL512S10TFI010 - Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
56 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
TSOP-56
供电电流
60 mA
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S29GL512S10TFI010 - Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 概述

FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 56-TSOP
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