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SI4463 数据手册

型号系列:SI4463 系列
分类:MOS管
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
文档:SI4463-B1B-FM 数据手册 (57 )

SI4463 MOS管 数据手册

#1
SI4463-B1B-FM
1.6
Silicon Labs(芯科)
#2
SI4463-B1B-FMR
1.9
Silicon Labs(芯科)
#3
SI4463-915-DK
0.3
Silicon Labs(芯科)
#4
SI4463-B0B-FM
0.3
Silicon Labs(芯科)

SI4463 数据手册 MOS管

53
Silicon Labs(芯科)
射频收发器 TXRX SubG +13/-116dBm
53
Silicon Labs(芯科)
EZRadioPRO® Sub-1GHz 无线发射器/接收器/收发器**EZRadioPRO**® 系列高度集成、柔性无线射频发射器、接收器和收发器可在 EZRadio ® 系列设备上提供增强的参数和功能。 这些 IC 设计用于更精密的 ISM 频段应用,支持 IEEE 802.15.4g 和无线 M-Bus 操作。 根据设备,频率覆盖范围为 119MHz 至 1050MHz,输出功率高达 +20 dBm,接收器灵敏度降至 -133dBm。 其他特征包括唤醒计时器、低电池电量探测器、传输和接收数据 FIFO 缓冲器、通电重置电路和通用数字输入/输出。 全部装在 QFN20 封装中。**RS 产品代码** 759-6472 Si4032-B1-FM 发射器,240-930MHz,+20dBm,FSK 819-6893 Si4060-B1B-FM 发射器,142-1050MHz,+13dBm,FSK 819-6900 Si4063-B1B-FM 发射器,142-1050MHz,+20dBm,FSK 759-6498 Si4330-B1-FM 接收器,240-960MHz,-121dBm,FSK 819-6913 Si4362-B1B-FM 接收器,142-1050MHz,-126dBm,FSK 759-6501 Si4431-B1-FM 收发器,240-930MHz,+13dBm,-121dBm,FSK 759-6505 Si4432-B1-FM 收发器,240-930MHz,+20dBm,-121dBm,FSK 819-6929 Si4438-B1C-FM 收发器,425-525MHz,+20dBm,-124dBm,FSK 865-9843 Si4438-C2A-GM 收发器,425-525MHz,+20dBm,-124dBm,FSK 865-9852 Si4455-C2A-GM 收发器,284-960MHz,+13dBm,-116dBm,FSK 819-6922 Si4460-B1B-FM 收发器,142-1050MHz,+13dBm,-126dBm,FSK 865-9855 Si4460-C2A-GM 收发器,142-1050MHz,+13dBm,-126dBm,FSK 819-6938 Si4461-B1B-FM 收发器,142-1050MHz,+16dBm,-126dBm,FSK 865-9859 Si4461-C2A-GM 收发器,142-1050MHz,+16dBm,-126dBm,FSK 819-6950 Si4463-B1B-FM 收发器,142-1050MHz,+20dBm,-126dBm,FSK 865-9868 Si4463-C2A-GM 收发器,142-1050MHz,+20dBm,-126dBm,FSK 819-6979 Si4464-B1B-FM 收发器,119-1050MHz,+20dBm,-126dBm,FSK 865-9861 Si4467-A2A-IM 收发器,142-1050MHz,+13dBm,-133dBm,FSK 865-9865 Si4468-A2A-IM 收发器,142-1050MHz,+20dBm,-133dBm,FSK ### 单芯片组件,Silicon Laboratories
10
Vishay Siliconix
10
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4463CDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
9
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
9
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
9
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4463BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.8 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V
9
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4463BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 13.7A, SOIC
6
Vishay Siliconix
3
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

SI4463CDY-T1-GE3 - VISHAY(威世) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.006 Ω
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SI4463CDY-T1-GE3 - VISHAY(威世) 概述

SI4463CDY-T1-GE3 是一款2.5VGS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于适配器开关, 大电流负载开关, 笔记本电脑应用。
100%Rg经过测试
100%UIS经过测试
无卤素
工作温度范围: -55至150°C
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