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SI8261 数据手册

型号系列:SI8261 系列
分类:接口隔离器
描述:SILICON LABS  SI8261BCC-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, NSOIC, 8 引脚
文档:SI8261BBC-C-ISR 数据手册 (42 )

SI8261 接口隔离器 数据手册

#1
SI8261BBC-C-ISR
1.4
Silicon Labs(芯科)
#2
SI8261BCC-C-IPR
1.2
Silicon Labs(芯科)
#3
SI8261BBC-C-IPR
1.1
Silicon Labs(芯科)
#4
SI8261BCC-C-IS
2.1
Silicon Labs(芯科)

SI8261 数据手册 接口隔离器

41
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261BBC-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, NSOIC, 8 引脚
41
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261BAD-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, SDIP, 6 引脚
41
Silicon Labs(芯科)
门驱动器 5 kV opto-driver replacement in SDIP6
41
Silicon Labs(芯科)
41
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261BAC-C-IP  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, DIP, 8 引脚
41
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261AAD-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, SDIP, 6 引脚
41
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261ACD-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, SDIP, 6 引脚
41
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261ABD-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, SDIP, 6 引脚
40
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261BCD-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, SDIP, 6 引脚
40
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261BCC-C-IP  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, DIP, 8 引脚
40
Silicon Labs(芯科)
门驱动器 3.75 kV opto-driver replacement in SOIC8
40
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261AAC-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, NSOIC, 8 引脚
40
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261BAC-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, NSOIC, 8 引脚
40
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261BBD-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, SDIP, 6 引脚
40
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261BBC-C-IP  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, DIP, 8 引脚
40
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI8261ABC-C-IS  数字隔离器, 1通道, 40 ns, 5 V, 30 V, NSOIC, 8 引脚

SI8261BCC-C-IS - Silicon Labs(芯科) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
5.00V (min)
封装
NSOIC-8
上升/下降时间
5.5ns, 8.5ns
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SI8261BCC-C-IS - Silicon Labs(芯科) 概述

Si826x 系列隔离栅驱动器,Silicon Laboratories
Silicon Labs Si826x 系列 ISOdriver 为引脚兼容、嵌入式升级,用于常用栅极驱动光耦合器。 这些设备适用于驱动多种反相器和电动机控制应用中使用的功率 MOSFET 和 IGBT。 Si826x 隔离栅驱动器使用 Silicon Labs 专有硅隔离技术,可支持高达 5.0 kV 有效值。 与光驱动器相比,这项技术可提升性能、减小随温度和老化的变化、使部件到部件的接合更紧,并提供极佳的共模抑制。
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