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SST39SF040 数据手册
| 型号系列: | SST39SF040 系列 |
| 分类: | Flash芯片 |
| 描述: | MICROCHIP SST39SF040-70-4C-NHE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚 |
| 文档: | SST39SF040-70-4I-NHE 数据手册 (36 页) |
SST39SF040 Flash芯片 数据手册
SST39SF040 数据手册 Flash芯片
29 页
Microchip（微芯）
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
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Microchip（微芯）
MICROCHIP SST39SF040-70-4I-WHE 闪存, 或非, 4 Mbit, 512K x 8位, TSOP, 32 引脚
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Microchip（微芯）
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
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Microchip（微芯）
1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
29 页
Microchip（微芯）
1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
29 页
Microchip（微芯）
1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
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