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TPS51206 数据手册

型号系列:TPS51206 系列
描述:具有适用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲参考输出的 2A 峰值灌/拉电流 DDR 终端稳压器
文档:TPS51206EVM-745 数据手册 (29 )

TPS51206 数据手册

#1
TPS51206EVM-745
1.1
TI(德州仪器)
#2
TPS51206
0.3
TI(德州仪器)
#3
TPS51206DSQR
5.2
TI(德州仪器)
#4
TPS51206DSQT
2.1
TI(德州仪器)

TPS51206 - TI(德州仪器) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SON-10
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TPS51206 - TI(德州仪器) 概述

TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系统而设计。TPS51206 可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。TPS51206 支持远程感测功能,并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。
TPS51206 采用 10 引脚、2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。
电源输入电压:支持 3.3V 和 5V 电源轨
VLDOIN 输入电压范围:VTT+0.4V 至 3.5V
VTT 端接稳压器
输出电压范围:0.5V 至 0.9V
2A 峰值灌电流和拉电流
仅需 10μF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容
±20mV 精度
VTTREF 缓冲参考输出
VDDQ/2 ± 1% 精度
10mA 灌/拉电流
支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 S3 和 S5 输入选择
过热保护
10 引脚 2mm × 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) (DSQ) 封装
## 应用
DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器电源
SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和 HSTL 端接
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