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ULQ2003 数据手册

型号系列:ULQ2003 系列
分类:双极性晶体管
描述:TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003ADR  达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V
文档:ULQ2003D1013TRY 数据手册 (40 )

ULQ2003 双极性晶体管 数据手册

#1
ULQ2003D1013TRY
3.1
ST Microelectronics(意法半导体)
#2
ULQ2003ADR
5.7
TI(德州仪器)
#3
ULQ2003D1013TR
4.8
ST Microelectronics(意法半导体)
#4
ULQ2003AD
4.3
TI(德州仪器)

ULQ2003 数据手册 双极性晶体管

35
ON Semiconductor(安森美)
NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
35
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AN  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
35
TI(德州仪器)
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
35
TI(德州仪器)
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
35
Allegro MicroSystems(急速微电子)
34
TI(德州仪器)
达林顿晶体管阵列
29
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003ATDRQ1  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC
29
TI(德州仪器)
高电压大CRRENT达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CRRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
29
TI(德州仪器)
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array
25
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AQDRQ1  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC
25
TI(德州仪器)
汽车类高电压、大电流达林顿晶体管阵列
25
TI(德州仪器)
达林顿晶体管 Darl Trans Arrays
25
TI(德州仪器)
汽车类高电压、大电流达林顿晶体管阵列
14
ST Microelectronics(意法半导体)
STMicroelectronics达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列,包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管,用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚,采用 IC 封装,用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平,用于 TTL 或 CMOS。### 达林顿晶体管驱动器
14
ST Microelectronics(意法半导体)
SEVEN达林顿阵列 SEVEN DARLINGTON ARRAYS

ULQ2003ADR - TI(德州仪器) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOIC-16
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ULQ2003ADR - TI(德州仪器) 概述

复合晶体管晶体管阵列,Texas Instruments
Texas Instruments 提供的达林顿晶体管阵列,适合各种中电流至高电流驱动器应用。
### 达林顿晶体管驱动器
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