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VSB3200 数据手册

型号系列:VSB3200 系列
分类:肖特基二极管
描述:TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
文档:VSB3200-M3/54 数据手册 (8 )

VSB3200 肖特基二极管 数据手册

#1
VSB3200-M3/54
0.9
Vishay Semiconductor(威世)
#2
VSB3200-M3/54
1.3
VISHAY(威世)
#3
VSB3200-E3/73
0.5
Vishay Semiconductor(威世)
#4
VSB3200-E3/54
0.5
Vishay Semiconductor(威世)

VSB3200 数据手册 肖特基二极管

5
VISHAY(威世)
4
Vishay Semiconductor(威世)

VSB3200-M3/54 - VISHAY(威世) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
DO-201AD
针脚数
2 Position
正向电流
3 A
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VSB3200-M3/54 - VISHAY(威世) 概述

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay Semiconductor
Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。
### 特点
专利 Trench 结构
提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率
高功率密度和低正向电压
### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
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