类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 2 Pin |
封装 | DO-204AL |
针脚数 | 2 Position |
钳位电压 | 8.5 V |
测试电流 | 1 mA |
最大反向击穿电压 | 6 V |
脉冲峰值功率 | 1500 W |
最小反向击穿电压 | 6 V |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Last Time Buy |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 9.52 mm |
宽度 | 5.21 mm |
高度 | 5.21 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)
●Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。
●峰值功率:1500W @1 ms
●3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型
●最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流
●低泄漏 < 5μA 高于 10V
●UL 497B,用于隔离回路保护
●响应时间通常为 < 1ns
●### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Littelfuse(力特)
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Littelfuse(力特)
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Littelfuse(力特)
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Littelfuse(力特)
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ON Semiconductor(安森美)
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR 1N5908RL4G TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 5 V, 8.5 V, DO-204AL, 2 引脚
Littelfuse(力特)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Z-TEK(力特電子)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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