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1N6377G
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1N6377G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:TVS二极管
封装:DO-201AD
描述:1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1N6377G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
额定电压(DC)17.6 V
封装DO-201AD
额定功率1.50 kW
无卤素状态Halogen Free
击穿电压17.6 V
针脚数2 Position
功耗1500 W
钳位电压25 V
最大反向电压(Vrrm)15V
测试电流1 mA
最大反向击穿电压17.6 V
脉冲峰值功率1500 W
最小反向击穿电压17.6 V
击穿电压17.6 V
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
工作结温-65℃ ~ 175℃
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1N6377G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Each
长度9.5 mm
直径5.30 mm
工作温度-65℃ ~ 175℃
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1N6377G 数据手册

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