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1N6470US
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1N6470US 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:二极管
封装:G-MELF
描述:无空隙，密封的表面贴装单向瞬态抑制器 Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Unidirectional Transient Suppressors
PDF文件:1N6470US 数据手册 (3 页)封装尺寸在3 页
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焊盘图
引脚图
产品图
1N6470US 数据手册 (3 页)
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1N6470US 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数2 Pin
封装G-MELF
钳位电压11 V
最大反向电压(Vrrm)6V
测试电流50 mA
脉冲峰值功率1500 W
最小反向击穿电压6.5 V
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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1N6470US 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bag
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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1N6470US 数据手册

1N6470US 数据手册
Microsemi（美高森美）
3 页 / 0.17 MByte
1N6470US 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
2 页 / 0.05 MByte
1N6470US 开发手册
Microsemi（美高森美）
10 页 / 0.12 MByte

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