Datasheet 搜索 > TVS二极管 > Microsemi（美高森美） > 1N649-1 Datasheet 文档
1N649-1
来自 AiPCBA

1N649-1 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:Microsemi（美高森美）
分类:TVS二极管
封装:DO-35
描述:硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes
PDF文件:1N649-1 数据手册 (1 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
1N649-1 数据手册 (1 页)
查看文档
或点击图片查看大图

1N649-1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
封装DO-35
正向电压1V @400mA
功耗1500 mW
测试电流45 mA
正向电流400 mA
稳压值5.6 V
正向电压(Max)1V @400mA
正向电流(Max)400 mA
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)500 mW
查看数据手册 >

1N649-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
查看数据手册 >

1N649-1 数据手册

1N649-1 数据手册
Microsemi（美高森美）
1 页 / 0.08 MByte
1N649-1 其他数据使用手册
Microsemi（美高森美）
3 页 / 0.21 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet