| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | SOD-523 |
| 针脚数 | 2 Position |
| 正向电压 | 410 mV |
| 正向电流 | 70 mA |
| 最大正向浪涌电流 | 100 mA |
| 正向电压(Max) | 1 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
反向电压VrReverse Voltage| 40V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 120mA/0.12A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Schottky barrier diode. · Low forward voltage · Guard ring protected · Ultra high-speed switching · Voltage clamping · Protection circuits · Blocking diodes. 描述与应用| 肖特基势垒二极管 ·低正向电压，低压降。 ·保护环保护 ·超高速开关 ·电压钳位 ·保护电路
Nexperia（安世）
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
NXP（恩智浦）
NXP 1PS79SB30 小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
Nexperia（安世）
Nexperia 二极管 1PS79SB30,115 肖特基, Io=200mA, Vrev=40V, 2引脚 I-IGIA封装
NXP（恩智浦）
NXP 1PS79SB31 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
Nexperia（安世）
Nexperia 二极管 1PS79SB31,115 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 I-IGIA封装
NXP（恩智浦）
200mA 至 500mA，NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
NXP（恩智浦）
200mA 至 500mA，NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器，NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
NXP（恩智浦）
200mA 至 500mA，NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器，NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
Nexperia（安世）
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
NXP（恩智浦）
NXP 1PS79SB10 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
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