1SMA10AT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	TVS二极管
封装:	SMA
描述:	400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向）齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1SMA10AT3G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	2 Pin
封装	SMA
无卤素状态	Halogen Free
击穿电压	11.7 V
电路数	1 Circuit
钳位电压	17 V
最大反向电压(Vrrm)	10V
测试电流	1 mA
最大反向击穿电压	12.3 V
脉冲峰值功率	400 W
最小反向击穿电压	11.1 V
击穿电压	11.1 V
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
工作结温	-65℃ ~ 150℃

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1SMA10AT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	4.57 mm
宽度	2.92 mm
高度	2.2 mm
工作温度	-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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1SMA10AT3G 符合标准

1SMA10AT3G 海关信息

1SMA10AT3G 数据手册

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1SMA10AT3G 其他数据使用手册

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5 页 / 0.13 MByte

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400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

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400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向）齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor

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