| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | SMA |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 击穿电压 | 13.3 V |
| 电路数 | 1 Circuit |
| 功耗 | 400 W |
| 钳位电压 | 19.9 V |
| 最大反向电压(Vrrm) | 12V |
| 测试电流 | 1 mA |
| 最大反向击穿电压 | 14.7 V |
| 脉冲峰值功率 | 400 W |
| 最小反向击穿电压 | 13.3 V |
| 击穿电压 | 13.3 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 工作结温 | -65℃ ~ 150℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.32 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 2.2 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
极性Polarization | 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage | 12V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage | 14V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation | 400W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current | 20.1A 额定耗散功率PdPower dissipation | 1.5W Description & Applications | 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors；Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 78 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.7 V to 91.25 V • Peak Power − 400 W @ 1 ms • ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model • Response Time is Typically < 1 ns • Flat Handling Surface for Accurate Placement • Package Design for Top Slide or Bottom Circuit Board Mounting • Low Profile Package • Pb−Free Packages are Available 描述与应用 | 400瓦峰值功率稳压 瞬态电压 抑制器;特性 •工作峰值反向电压范围−5.0 V到78 V •标准齐纳击穿电压范围−6.7 V至91.25 V •峰值功率400 W @ 1−女士 •防静电等级3级(> 16千伏)/人体模型 •响应时间通常是< 1 ns •平处理表面便于精准定位 •包装设计便于顶层或底层电路板安装 •小外形包装 •无铅包装
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor（安森美）
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向）齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
Littelfuse（力特）
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向）齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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