| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 16.0 V |
| 封装 | SMB |
| 额定功率 | 600 W |
| 击穿电压 | 18.8 V |
| 最大反向电压(Vrrm) | 16V |
| 脉冲峰值功率 | 600 W |
| 最小反向击穿电压 | 17.8 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 4.57 mm |
| 宽度 | 3.81 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 厚度 | 2.41 mm |
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 16V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 18.75V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 23.1A 额定耗散功率PdPower dissipation| 3W Description & Applications| 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors；Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 170 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.7 V to 199 V • Peak Power − 600 W @ 1.0 ms • ESD Rating of Class 3 (>16 kV) per Human Body Model • Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current • Low Leakage < 5.0 uA Above 10 V • UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection • Response Time is Typically < 1.0 ns • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 600瓦峰值功率齐纳二极管瞬态电压抑制器;特性 •工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至170 V •标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至199 V •峰值电力 - 600 W@1.0ms •每人体模型ESD额定值的类3（>16千伏） •最大钳位电压峰值脉冲电流 •低漏高于10 V<5.0 UA •UL497B用于隔离回路的电路保护 •响应时间通常<1.0ns •无铅包可用
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ON SEMICONDUCTOR 1SMB16AT3G TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 16 V, 26 V, DO-214AA, 2 Pins 新
ON Semiconductor（安森美）
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向）ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1SMB16AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 16V 23.1A 3W DO-214AA/SMB-16v 标记LP
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瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
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600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Littelfuse（力特）
600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
Littelfuse（力特）
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向）ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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