1SMB51CAT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	TVS二极管
封装:	DO-214AA
描述:	600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向）ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1SMB51CAT3G 数据手册 (9 页)

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1SMB51CAT3G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	2 Pin
电容	175 pF
封装	DO-214AA
无卤素状态	Halogen Free
击穿电压	56.7 V
电路数	1 Circuit
功耗	600 W
钳位电压	82.4 V
最大反向电压(Vrrm)	51V
测试电流	1 mA
最大反向击穿电压	62.7 V
脉冲峰值功率	600 W
最小反向击穿电压	56.7 V
击穿电压	56.7 V
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
工作结温	-65℃ ~ 150℃

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1SMB51CAT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	4.57 mm
宽度	3.95 mm
高度	2.41 mm
工作温度	-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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1SMB51CAT3G 符合标准

1SMB51CAT3G 海关信息

1SMB51CAT3G 数据手册

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9 页 / 0.41 MByte

1SMB51CAT3G 其他数据使用手册

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1SMB51CAT3G 产品封装文件

ON Semiconductor（安森美）

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1SMB51CAT3G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.13 MByte

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