类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
工作电压 | 58 V |
封装 | DO-214AA-2 |
击穿电压 | 64.4 V |
钳位电压 | 93.6 V |
脉冲峰值功率 | 600 W |
最小反向击穿电压 | 64.4 V |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
Central Semiconductor
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR 1SMB58AT3G TVS Diode, 1SMB Series, Unidirectional, 58 V, 93.6 V, DO-214AA, 2 Pins 新
ON Semiconductor(安森美)
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
1SMB58AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 58V 6.4A 3W DO-214AA/SMB-58v 标记NG
Littelfuse(力特)
600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Littelfuse(力特)
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Central Semiconductor
ESD 抑制器/TVS 二极管 611 Watt Uni TVS 100A 58Vrwm 74.1V
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