| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 0.4 MHz |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
| 工作电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| 封装 | PDIP-8 |
| 供电电流 | 3 mA |
| 针脚数 | 8 Position |
| 时钟频率 | 400 kHz |
| 存取时间 | 900 ns |
| 内存容量 | 250 B |
| 输入电容 | 10 pF |
| 上升时间 | 300 ns |
| 下降时间 | 300 ns |
| 存取时间(Max) | 900 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 4.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.16 mm |
| 宽度 | 6.35 mm |
| 高度 | 3.3 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
24C02C-I/P是一款2kBI²C串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM), 电压范围为4.5至5.5V. 该器件被组织为256 x 8位存储器单块, 带有2线串行接口. 最大待机电流为5µA, 最大工作电流1mA. 该器件具有页面写入功能, 高达16字节数据, 并且具有快速写入周期, 字节和页面写入周期时间仅为1ms. 功能地址线允许在同一总线上连接多达8个24C02C器件, 高达16kB连续EEPROM存储器.
● 低功率CMOS技术
● 2线串行接口 (I²C™兼容)
● 可级联多达八个设备
● 施密特触发器输入, 用于抑制噪声
● 输出斜率控制, 消除接地反弹
● 100与400kHz时钟兼容性
● 快速页面或字节写入时间1ms (典型值)
● 自定时erase/write周期
● 16字节页面写入缓冲
● 硬件写保护阵列的上半部分
● 静电保护>4000V
● 超过100万erase/write周期
● 数据保留>200年
Microchip（微芯）
30 页 / 0.49 MByte
Microchip（微芯）
8 页 / 0.1 MByte
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37 页 / 1.08 MByte
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Microchip（微芯）
MICROCHIP 24C02C-I/SN EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24C02C-I/P EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24C02C/SN EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24C02C/P EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
Microchip（微芯）
24C02 系列 2 Kb (256 x 8) 5.5 V 表面贴装 I2C 串行 EEPROM - SOIC-8
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24C02C-I/MS EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, MSOP, 8 引脚
Microchip（微芯）
24C02C I²C™ Serial EEPROM### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip（微芯）
24C02系列 2kb I2C 双线接口(256x8位) 5V 串行 电可擦除PROM 表面贴装-SOIC-8
Microchip（微芯）
24C02C I²C™ Serial EEPROM### EEPROM 串行存取 - Microchip
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