| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 0.4 MHz |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
| 工作电压 | 2.5V ~ 5.5V |
| 封装 | DIP-8 |
| 供电电流 | 3 mA |
| 针脚数 | 8 Position |
| 时钟频率 | 400 kHz |
| 存取时间 | 900 ns |
| 内存容量 | 250 B |
| 输入电容 | 10 pF |
| 上升时间 | 300 ns |
| 下降时间 | 300 ns |
| 存取时间(Max) | 900 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.5V ~ 5.5V |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 2.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 9.4 mm |
| 宽度 | 6.35 mm |
| 高度 | 3.3 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROM
●Microchip 24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。
●### 特点
●单电源，操作降低至 1.7V（24AA02 设备），2.5V（24LC02B 设备）
●低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（最大），待机电流 1 μA（最大）
●2 线串行接口，I2C® 兼容
●Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制
●输出斜率控制，用于消除地面颤动
●100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性
●页面写入时间 3 ms（典型）
●自定时擦除/写入周期
●8 字节页面写入缓冲器
●硬件写入保护
●ESD 保护 >4,000V
●超过 100 万个擦除/写入周期
●数据保留 >200 年
●### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip（微芯）
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24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。### 特点单电源，操作降低至 1.7V（24AA02 设备），2.5V（24LC02B 设备） 低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（最大），待机电流 1 μA（最大） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3 ms（典型） 自定时擦除/写入周期 8 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24LC02B-I/SN EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24LC02BT-I/OT EEPROM, 2 Kbit, 256 x 8位, 400 kHz, I2C, SOT-23, 5 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24LC02B/SN EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24LC02B-I/P EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24LC024-I/SN EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24LC025-I/ST 芯片, 存储器, EEPROM, 2Kb, 串行口 400KHZ TSSOP-8
Microchip（微芯）
MICROCHIP 24LC02B/P EEPROM, 2 Kbit, 256K x 8位, 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
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