类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
封装 | MSOP-8 |
时钟频率 | 400kHz (max) |
存取时间 | 900 ns |
内存容量 | 4000 B |
存取时间(Max) | 900 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 2.5V ~ 5.5V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TA) |
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4K / 8K 2.5V的I 2 C串行EEPROM 4K/8K 2.5V I 2 C Serial EEPROMs
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24LC04 系列 4 Kb I2C 双线 (512 x 8) 2.5 V 串行 EEPROM 表面贴装 - SOIC-8
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MICROCHIP 24LC04B-I/P EEPROM, AEC-Q100, 4 Kbit, 2 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
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MICROCHIP 24LC04B-I/SN 芯片, 串口EEPROM 4K
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MICROCHIP 24LC04BT-I/OT EEPROM, AEC-Q100, 4 Kbit, 2 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOT-23, 5 引脚
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MICROCHIP 24LC04B/SN EEPROM, AEC-Q100, 4 Kbit, 2 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
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MICROCHIP 24LC04B/P EEPROM, AEC-Q100, 4 Kbit, 2 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
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24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA04 设备)、2.5V(用于 24LC04B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(典型)、待机电流 1uA(典型) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA04 设备)、2.5V(用于 24LC04B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(典型)、待机电流 1uA(典型) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA04 设备)、2.5V(用于 24LC04B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(典型)、待机电流 1uA(典型) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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