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24LC04BT-I/ST 数据手册 (34 页)
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24LC04BT-I/ST 技术参数、封装参数

24LC04BT-I/ST 外形尺寸、物理参数、其它

24LC04BT-I/ST 数据手册

Microchip(微芯)
34 页 / 0.62 MByte
Microchip(微芯)
12 页 / 0.18 MByte
Microchip(微芯)
5 页 / 0.04 MByte

24LC04 数据手册

Microchip(微芯)
4K / 8K 2.5V的I 2 C串行EEPROM 4K/8K 2.5V I 2 C Serial EEPROMs
Microchip(微芯)
24LC04 系列 4 Kb I2C 双线 (512 x 8) 2.5 V 串行 EEPROM 表面贴装 - SOIC-8
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC04B-I/P  EEPROM, AEC-Q100, 4 Kbit, 2 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC04B-I/SN  芯片, 串口EEPROM 4K
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC04BT-I/OT  EEPROM, AEC-Q100, 4 Kbit, 2 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOT-23, 5 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC04B/SN  EEPROM, AEC-Q100, 4 Kbit, 2 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC04B/P  EEPROM, AEC-Q100, 4 Kbit, 2 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
Microchip(微芯)
24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA04 设备)、2.5V(用于 24LC04B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(典型)、待机电流 1uA(典型) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip(微芯)
24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA04 设备)、2.5V(用于 24LC04B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(典型)、待机电流 1uA(典型) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA04 设备)、2.5V(用于 24LC04B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(典型)、待机电流 1uA(典型) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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