类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 0.4 MHz |
引脚数 | 5 Pin |
电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
封装 | SOT-23-5 |
供电电流 | 3 mA |
针脚数 | 5 Position |
时钟频率 | 400 kHz |
存取时间 | 900 ns |
内存容量 | 8000 B |
存取时间(Max) | 900 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 2.5V ~ 5.5V |
电源电压(Max) | 5.5 V |
电源电压(Min) | 2.5 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.1 mm |
宽度 | 1.8 mm |
高度 | 1.3 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
24AA08/24LC08B I²C™ 串行 EEPROM
●Microchip 24AA08/24LC08B 系列设备 8 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。
●### 特点
●单电源,操作降低至 1.7V(24AA08 设备),2.5V(24LC08B 设备)
●低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大)
●2 线串行接口,I2C® 兼容
●Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制
●输出斜率控制,用于消除地面颤动
●100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性
●页面写入时间 3 ms(典型)
●自定时擦除/写入周期
●16 字节页面写入缓冲器
●硬件写入保护
●ESD 保护 >4,000V
●超过 100 万个擦除/写入周期
●数据保留 >200 年
Microchip(微芯)
40 页 / 1.07 MByte
Microchip(微芯)
48 页 / 1.05 MByte
Microchip(微芯)
2 页 / 0.1 MByte
Microchip(微芯)
MICROCHIP 24LC08BT-I/OT EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOT-23, 5 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP 24LC08B-I/SN EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip(微芯)
24LC08 系列 8 Kb I2C 双线 (1K X 8) 2.5 V 串行 EEPROM SMT - SOIC-8
Microchip(微芯)
MICROCHIP 24LC08B/P EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP 24LC08B-I/P EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP 24LC08B/SN EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP 24LC08B-I/MS EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, MSOP, 8 引脚
Microchip(微芯)
24AA08/24LC08B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24AA08/24LC08B 系列设备 8 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。### 特点单电源,操作降低至 1.7V(24AA08 设备),2.5V(24LC08B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3 ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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