| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 2 MHz |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 供电电流 | 5 mA |
| 时钟频率 | 2 MHz |
| 存取时间 | 2.00 µs |
| 内存容量 | 1000 B |
| 存取时间(Max) | 230 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.5V ~ 5.5V |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 2.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.25 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROM
●Microchip 的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。
●使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。
●### 特点
●最大写入电流 3 mA
●读取电流：500 μA（典型）
●待机电流：500 nA（典型）
●1024 x 8 位组织
●16 字节页面
●自定时擦除和写入周期，5ms（最大）
●块写入保护：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列
●内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚
●顺序读取
●耐受性：>1M 擦除/写入周期
●数据保留：>200 年
●ESD 保护：>4000V
●### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip（微芯）
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8K / 16K 2.5V SPI O总线串行EEPROM 8K/16K 2.5V SPI O Bus Serial EEPROM
Microchip（微芯）
MICROCHIP 25LC080/SN EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8位, 2 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚
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25AA080A/25AA080B/25LC080A/25LC080B SPI Serial EEPROM### EEPROM 串行存取 - Microchip
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25LC080B 系列 8 Kb (1 K x 8) 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - SOIC-8
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25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大写入电流 3 mA 读取电流：500 μA（典型） 待机电流：500 nA（典型） 1024 x 8 位组织 16 字节页面 自定时擦除和写入周期，5ms（最大） 块写入保护：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性：>1M 擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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MICROCHIP 25LC080A-I/MS EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8位, 10 MHz, 串行SPI, MSOP, 8 引脚
Microchip（微芯）
25AA080A/25AA080B/25LC080A/25LC080B SPI Serial EEPROM### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip（微芯）
25LC080系列 8Kb (1Kx8) 16字节 页 2.5V TSSOP-8 串行 SPI总线 电可擦除工业温度
Microchip（微芯）
8K SPI总线串行EEPROM 8K SPI Bus Serial EEPROM
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