| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 10 MHz |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
| 工作电压 | 2.5V ~ 5.5V |
| 封装 | DFN-8 |
| 供电电流 | 6 mA |
| 时钟频率 | 10 MHz |
| 存取时间 | 50 ns |
| 内存容量 | 32000 B |
| 输入电容 | 7 pF |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 存取时间(Max) | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.5V ~ 5.5V |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 2.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 4.92 mm |
| 宽度 | 6 mm |
| 高度 | 0.84 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
Microchip（微芯）
32 页 / 0.78 MByte
Microchip（微芯）
6 页 / 0.46 MByte
Microchip（微芯）
31 页 / 0.58 MByte
Microchip（微芯）
14 页 / 0.26 MByte
Microchip（微芯）
2 页 / 0.1 MByte
Microchip（微芯）
1 页 / 0.11 MByte
Microchip（微芯）
256K SPI总线串行EEPROM 256K SPI Bus Serial EEPROM
Microchip（微芯）
25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流：6 mA（典型） 待机电流：1 μA（典型） 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期，5ms（最大） 块写入保护：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性：>1M 擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip（微芯）
MICROCHIP 25LC256-I/P EEPROM, AEC-Q100, 256 Kbit, 32K x 8位, 10 MHz, SPI, DIP, 8 引脚
Microchip（微芯）
25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流：6 mA（典型） 待机电流：1 μA（典型） 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期，5ms（最大） 块写入保护：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性：>1M 擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip（微芯）
25LC256T系列 2.5V至5.5V 10MHz 256Kb SPI总线 串行电可擦除PROM-SOIC-8
Microchip（微芯）
25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流：6 mA（典型） 待机电流：1 μA（典型） 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期，5ms（最大） 块写入保护：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性：>1M 擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip（微芯）
25LC256 系列 256 Kb (32 K x 8) 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - TSSOP-8
Microchip（微芯）
25LC256系列 256Kb (32Kx8) 2.5V TSSOP-8 串行 SPI总线 电可擦除 工业温度 卷盘
Microchip（微芯）
25LC256 系列 256 Kb (32 K x 8) 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - MLF-8
Microchip（微芯）
25LC256T系列 2.5V至5.5V 10MHz 256Kb SPI总线 串行电可擦除PROM-SOIC-8
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
