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25LC512-M/SN 数据手册 (36 页)
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25LC512-M/SN 技术参数、封装参数

25LC512-M/SN 外形尺寸、物理参数、其它

25LC512-M/SN 数据手册

Microchip(微芯)
36 页 / 0.62 MByte

25LC512 数据手册

Microchip(微芯)
MICROCHIP  25LC512-I/SN  EEPROM, AEC-Q100, 512 Kbit, 64K x 8位, 20 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP  25LC512T-I/SN  芯片, 存储器, EEPROM, 512KB, 串行口 20MHZ SOIC-8, 整卷
Microchip(微芯)
MICROCHIP  25LC512-I/P  EEPROM, AEC-Q100, 512 Kbit, 64K x 8位, 20 MHz, SPI, DIP, 8 引脚
Microchip(微芯)
25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz 读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz 待机电流:1μA @ 2.5V(深断电) 电子签名,用于设备 ID 自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型) 扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性:1 百万次擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip(微芯)
MICROCHIP  25LC512-I/SM  存储芯片, EEPROM, 512K, SPI, 20MHZ, SOIJ-9
Microchip(微芯)
25LC512 系列 512 K 位 (64Kx8) 2.5 V SPI 串行总线 6x5 mm DFN-8 EEPROM
Microchip(微芯)
25LC512系列 512 Kb (64Kx8) I2C 串行总线 SOIC-8 电可擦除PROM 扩展温度 卷盘
Microchip(微芯)
25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz 读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz 待机电流:1μA @ 2.5V(深断电) 电子签名,用于设备 ID 自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型) 扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性:1 百万次擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip(微芯)
25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz 读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz 待机电流:1μA @ 2.5V(深断电) 电子签名,用于设备 ID 自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型) 扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性:1 百万次擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip(微芯)
8 SOIJ 0.208英寸 卷盘 512K 64K
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