类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-39 |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
最小电流放大倍数 | 40 @150mA, 10V |
额定功率(Max) | 800 mW |
耗散功率(Max) | 800 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
Central Semiconductor
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Central Semiconductor
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ST Microelectronics(意法半导体)
高速交换机 HIGH-SPEED SWITCHES
Microsemi(美高森美)
NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
Multicomp
MULTICOMP 2N2218A 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 800 mW, 800 mA, 20 hFE
Microsemi(美高森美)
小信号双极NPN硅 SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
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